专业的隧道磁阻（TMR）磁传感器领先供应商江苏多维科技有限公司（MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT）日前推出三款200纳安功耗的TMR开关传感器TMR1362/TMR1262/TMR1162。

多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士表示：“MDT的新型纳安功耗TMR开关传感器拓展了我们现有的产品线，在保持高速响应的同时实现了更低的功耗。现在市场上的纳安级低功耗磁传感器产品都是采用2至10Hz的分时供电来降低功耗，同时也导致了产品的响应速度非常慢，并且在高速切换的信号下存在错误检测的风险。与竞争对手的产品相比，我们新推出的纳安功耗TMR开关传感器采用了50Hz的分时供电设计，以确保传感器的性能可以满足高速应用的场合和快速的响应时间，同时实现了200纳安的功耗，是目前市场上所有此类产品中的最低功耗。这只有通过MDT独特的TMR技术、以及该技术在TMR传感器的设计、制造和应用方面所具备的非常强大的专利组合才能够得以实现。对于性能要求更高的应用，MDT现有的1.5微安功耗的TMR开关传感器已被业界公认为是在连续供电模式下的实现超低功耗和高响应速度的领先解决方案。它们可与MDT的新型纳安功耗TMR开关传感器配合使用，为客户的新一代传感器解决方案提供更全面的选择，同时也可以为现有的设计中采用的干簧管开关、霍尔效应开关、以及AMR/GMR/TMR传感器提供可靠性更强、速度更快、功耗更低的升级产品。”

2018年10月16-17日，在美国伊利诺伊州罗斯蒙特举办的Sensors Midwest传感器展会上，MDT展示了TMR开关传感器、TMR角度传感器、TMR线性传感器，和TMR齿轮传感器等TMR传感器芯片产品，以及TMR磁图像传感器和TMR齿轮编码器等具备完整功能的传感器模组。来源： 电子元件技术网